行业策略：在新能源汽车刚性需求驱动下，碳化硅产业链在实现综合成本优势之后，有望迎来爆发式增长；砷化镓未来仍将继续主导sub-6G手机射频，国内PA厂商的发展带来本土砷化镓代工需求；GaN在5G宏基站和消费级快充上将取得大发展。建议关注碳化硅从衬底、外延片、器件到模块和设备的全产业链，砷化镓和氮化镓建议重点关注本土代工厂。

第三代半导体材料具有宽的禁带宽度，高击穿电场、高热导率及高电子饱和速率，因而更适合于制作高温、高频及大功率器件。2019年中国SiC、GaN电力电子器件应用市场中，消费电源是第一大应用，占比28%，工业及商业电源次之，占比26%，新能源汽车排第三，占比11%，未来随着SiC、GaN产品的成本下降，性价比优势开始凸显，将会有更多的应用场景。预测2027年SiC器件的市场规模将从2020的6亿美元增长至100亿美元，呈现高速增长态势。

碳化硅衬底是第三代半导体材料中氮化镓、碳化硅应用的基石。受技术与工艺水平限制，氮化镓材料作为衬底实现规模化应用仍面临挑战，其应用主要是以蓝宝石、硅晶片或半绝缘碳化硅晶片为衬底，通过外延生长氮化镓以制造氮化镓器件，主要应用于宏基站通信射频领域；而碳化硅材料则主要以在导电型碳化硅衬底上外延生长碳化硅外延层，应用在各类功率器件上，近年来随着技术工艺的成熟、制备成本的下降，在新能源领域的应用持续渗透。碳化硅材料将是未来新能源、5G通信领域中碳化硅、氮化镓器件的重要基础。

传统硅材料难以满足新兴需求，碳化硅对硅的部分替代是顺应时代和科技趋势的必然。硅因其自然界储量大，制备相对简单等优点，成为了目前制造半导体芯片和器件最为主要的原材料，目前90%以上的半导体产品是以硅为衬底制成的。然而受材料本身特性的限制，硅基功率器件已经渐渐难以满足5G基站、新能源车及高铁等新兴应用对器件高功率及高频性能的需求。第三代半导体材料中的碳化硅（SiC）有望部分替代硅，成为制备高压及高频器件新的衬底材料。在新的时代背景下，市场对高压和高频器件的需求越来越高，碳化硅对硅的部分替代是顺应时代和科技趋势的必然。

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现今，硅（Si）器件对于电力电子应用优化已经接近极限，而宽禁带材料碳化硅（SiC）制成的器件拥有卓越的开关性能、耐压能力及温度稳定性。我们认为，材料特征优异的SiC器件有望从增加续航里程、实现轻量化、提升用户体验等多方面满足新能源车的迭代需求。我们认为，目前SiC行业发展的痛点在于行业发展仍属初期，衬底材料高昂的制备成本和较低的良率带来的高售价，我们认为随着技术成熟及供应商产能扩张，SiC成本有望实现快速下降，SiC将在未来五年时间内从电控、车载充电机、DC/DC、快充桩等多个应用场景对Si-MOSFET/Si-IGBT形成规模替代。我们测算，2025年仅中国新能源车及充电桩对于SiC的产能需求超100万片6寸晶圆，器件市场规模超过60亿元，为本土企业发展提供了广阔的成长空间。我们看好SiC产业链相关上市公司的投资机会，器件侧建议关注斯达半导、三安光电、闻泰科技（未覆盖）、新洁能（未覆盖）；衬底侧建议关注露笑科技（未覆盖）；设备侧建议关注晶盛机电（未覆盖）、北方华创、华峰测控。

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