数据简介

MP抛光材料应用于硅片制造和IC制程工艺，主要包括抛光液和抛光垫。它的作用主要在于实现晶圆全局均匀平坦化（纳米级）。抛光垫的技术壁垒在于沟槽设计及提高寿命改良，抛光液的技术壁垒在于调整抛光液组成以改善抛光效果。芯片制程提升推动CMP抛光材料用量翻倍。随着金属布线层数的增多，需要进行CMP抛光的步骤也越多。以28nm节点工艺为例，所需CMP次数为12-13次，而进入10nm制程节点后，CMP次数会翻一番，达到25-26次。存储芯片由2DNAND向3DNAND技术变革，也会使CMP抛光步骤数近乎翻倍。