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第三代半导体行业系列报告之一:第三代半导体大势所趋,国内厂商全产业链布局
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数据简介
第三代半导体大势所趋,碳化硅更适合作为衬底材料:第三代半导体材料主要分为碳化硅SiC和化镓GaN,相比于第一、二代半导体,其具有更高的禁带宽度、高击穿电压、电导率和热导率,在高温、高压、高功率和高频领域将替代前两代半导体材料。氮化镓因缺乏大尺寸单晶,第三代半导体材料的主要形式为碳化硅基碳化硅外延器件、碳化硅基氮化镓外延器件,碳化硅应用更为广泛。
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